

MPCVD單晶金剛石生長機器設(shè)備
關(guān)鍵詞:標準漏孔 | MPCVD | 電容薄膜規(guī)真空計 | 高低真空校準裝置 | 氦漏孔校準裝置
分類:
產(chǎn)品詳情
微波等離子體化學氣相沉積
Microwave Plasma CVD system
微波等離子體化學氣相沉積 (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition )是高效、高質(zhì)量制備金剛石的首選方法,打破了設(shè)備對 襯底尺寸的限制,為大面積單晶金剛石生長提供條件。
MPCVD單晶金剛石生長技術(shù)一般采用金屬腔體,由于其微波能量無污染、氣體原料純凈、沒有催化劑和雜質(zhì)的摻入等優(yōu)勢,使得金剛石的質(zhì)量得到改善,成為高品質(zhì)單晶金剛石最有發(fā)展前景的技術(shù)之一,大大拓展了金剛石材料在高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。
設(shè)備特點
• 全自動工控界面、支持遠程操控.
• 一鍵式開關(guān)機,實現(xiàn)無人值守.
• 自動非接觸式遠紅外測溫.
• 選用進口微波器、水路全監(jiān)測.
• 可選用無油真空泵加分子泵.
• 使用高精度氣體質(zhì)量流量計,高可靠性穩(wěn)定的壓力控制系統(tǒng).
• 反應(yīng)可控,能長時間穩(wěn)定工作在6KW
• 高功率高密度等離子體穩(wěn)定在離石英窗一定位置,減少硅的污染
應(yīng)用
• 高效導(dǎo)熱材料.
• 新型半導(dǎo)體材料.
• 新型刀具、模具、磨料.
• 人工培育鉆石.
• 光學鏡片
• 量子傳感器/NV色心量子器件
• 納米金剛石材料
• 第四代半導(dǎo)體材料
項目名稱 |
標準配置 |
選裝配置 |
微波源 |
SAIRREM/MUEGGE |
|
高溫計 |
SA-D30160A |
Williamson |
抽空設(shè)備 |
DRV-16 |
DRV-16+FF150 |
極限真空 |
≤5E-1Pa |
≤5E-5Pa |
輸入氣體 |
4路標準生長氣體 |
可定制多路混合及摻雜氣體 |
工作臺尺寸 |
60mm |
|
壓力控制范圍 |
500~50000 Pa |
|
工控界面 |
工控機全自動控制帶遠程操作監(jiān)測 |
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設(shè)備整體漏率 |
優(yōu)于1E-12Pa·m3/s |
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設(shè)備尺寸 |
1500*850*1700 |
|
設(shè)備重量 |
500kg |
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產(chǎn)品詢價